ZXMP10A18GTA

ZXMP10A18GTA图片1
ZXMP10A18GTA图片2
ZXMP10A18GTA图片3
ZXMP10A18GTA图片4
ZXMP10A18GTA图片5
ZXMP10A18GTA图片6
ZXMP10A18GTA图片7
ZXMP10A18GTA图片8
ZXMP10A18GTA图片9
ZXMP10A18GTA图片10
ZXMP10A18GTA图片11
ZXMP10A18GTA图片12
ZXMP10A18GTA图片13
ZXMP10A18GTA图片14
ZXMP10A18GTA概述

ZXMP10A18GTA 编带

ZXMP10A18 Series 100 V 0.15 Ohm P-Channel Enhancement Mode MOSFET - SOT-223


得捷:
MOSFET P-CH 100V 2.6A SOT223


立创商城:
P沟道 100V 2.6A


e络盟:
晶体管, MOSFET, 增强模式, P沟道, -2.6 A, -100 V, 0.15 ohm, -10 V, -2 V


艾睿:
Make an effective common source amplifier using this ZXMP10A18GTA power MOSFET from Diodes Zetex. Its maximum power dissipation is 3900 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging so that components can be mounted effectively. This P channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C.


Allied Electronics:
MOSFET P-Channel 100V 3.7A SOT223


安富利:
Trans MOSFET P-CH 100V 3.7A 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET P-CH 100V 3.7A 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


TME:
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -3A; 2W; SOT223


Verical:
Trans MOSFET P-CH 100V 3.7A Automotive 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


Newark:
# DIODES INC.  ZXMP10A18GTA  MOSFET Transistor, Enhancement Mode, P Channel, -2.6 A, -100 V, 0.15 ohm, -10 V, -2 V


DeviceMart:
MOSFET P-CH 100V 2.6A SOT223


ZXMP10A18GTA中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -100 V

额定电流 -3.70 A

针脚数 4

漏源极电阻 0.15 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 2 W

漏源极电压Vds 100 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 3.70 A

上升时间 6.8 ns

输入电容Ciss 1055pF @50VVds

额定功率Max 2 W

下降时间 17.9 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 TO-261-4

外形尺寸

封装 TO-261-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 军用与航空, 车用, 电机驱动与控制, 国防, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

军工级 Yes

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买ZXMP10A18GTA
型号: ZXMP10A18GTA
制造商: Diodes 美台
描述:ZXMP10A18GTA 编带

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台