ZXMHC3A01N8 30 V 125 Ohm N/P 沟道 增强模式 MOSFET H-桥 - SOIC-8
MOSFET - 阵列 2 个 N 通道和 2 个 P 通道(H 桥) 30V 2.17A,1.64A 870mW 表面贴装型 8-SOP
得捷:
MOSFET 2N/2P-CH 30V 8-SOIC
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ZXMHC3A01N8TC
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MOSFET Mosfet H-Bridge 30/-30V 2.7/-2.1A
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Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.72A/2.06A Automotive 8-Pin SO T/R
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MOSFET Dual N/P-Ch 30V 2.72A/2.06A SOIC8
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Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.72A/2.06A 8-Pin SO T/R
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Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.17A/1.64A 8-Pin SO T/R
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**H-Br 30V 2A 335mOhm SO-8 **
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MOSFET 2N/2P-CH 30V 8-SOIC
DeviceMart:
MOSFET H-BRIDGE COMPL 8-SOIC
极性 N+P
耗散功率 1.36 W
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 2.72A/2.06A
上升时间 2.3 ns
输入电容Ciss 190pF @25VVds
额定功率Max 870 mW
下降时间 2.9 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1360 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
封装 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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