ZXMHC3A01N8TC

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ZXMHC3A01N8TC概述

ZXMHC3A01N8 30 V 125 Ohm N/P 沟道 增强模式 MOSFET H-桥 - SOIC-8

MOSFET - 阵列 2 个 N 通道和 2 个 P 通道(H 桥) 30V 2.17A,1.64A 870mW 表面贴装型 8-SOP


得捷:
MOSFET 2N/2P-CH 30V 8-SOIC


立创商城:
ZXMHC3A01N8TC


贸泽:
MOSFET Mosfet H-Bridge 30/-30V 2.7/-2.1A


艾睿:
Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.72A/2.06A Automotive 8-Pin SO T/R


Allied Electronics:
MOSFET Dual N/P-Ch 30V 2.72A/2.06A SOIC8


安富利:
Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.72A/2.06A 8-Pin SO T/R


Verical:
Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.17A/1.64A 8-Pin SO T/R


儒卓力:
**H-Br 30V 2A 335mOhm SO-8 **


Win Source:
MOSFET 2N/2P-CH 30V 8-SOIC


DeviceMart:
MOSFET H-BRIDGE COMPL 8-SOIC


ZXMHC3A01N8TC中文资料参数规格
技术参数

极性 N+P

耗散功率 1.36 W

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 2.72A/2.06A

上升时间 2.3 ns

输入电容Ciss 190pF @25VVds

额定功率Max 870 mW

下降时间 2.9 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1360 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买ZXMHC3A01N8TC
型号: ZXMHC3A01N8TC
制造商: Diodes 美台
描述:ZXMHC3A01N8 30 V 125 Ohm N/P 沟道 增强模式 MOSFET H-桥 - SOIC-8
替代型号ZXMHC3A01N8TC
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