ZXMP10A17E6TA 编带
The is a -100V P-channel Enhancement Mode DMOSFET designed to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications.
额定电压DC -100 V
额定电流 -1.80 A
针脚数 6
漏源极电阻 350 mΩ
极性 P-Channel
耗散功率 1.1 W
阈值电压 2 V
漏源极电压Vds 100 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 1.6A
上升时间 3.5 ns
输入电容Ciss 424pF @50VVds
额定功率Max 1.1 W
下降时间 7.2 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1.1W Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-23-6
长度 3.1 mm
宽度 1.8 mm
高度 1.3 mm
封装 SOT-23-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 电机驱动与控制, 国防, 电源管理, 军用与航空
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
军工级 Yes
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99