ZXMN3A04DN8TA

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ZXMN3A04DN8TA概述

ZXMN3A04DN8 系列 双 N 沟道 30 V 0.02 Ohm 功率MOSFET 表面贴装 - SOIC-8

MOSFET - 阵列 2 N-通道(双) 30V 6.5A 1.81W 表面贴装型 8-SO


得捷:
MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC


立创商城:
2个N沟道 30V 6.5A


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 8.5A Automotive 8-Pin SOIC T/R


富昌:
ZXMN3A04DN8 系列 双 N 沟道 30 V 0.02 Ohm 功率MOSFET 表面贴装 - SOIC-8


Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-Pin SOIC T/R


儒卓力:
**N-CH 30V 9A 20mOhm SO-8 **


Win Source:
MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC


ZXMN3A04DN8TA中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 30.0 V

额定电流 6.80 A

通道数 2

漏源极电阻 30.0 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 2.15 W

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 8.50 A

上升时间 6.1 ns

输入电容Ciss 1890pF @15VVds

额定功率Max 1.81 W

下降时间 20.2 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

宽度 4 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买ZXMN3A04DN8TA
型号: ZXMN3A04DN8TA
制造商: Diodes 美台
描述:ZXMN3A04DN8 系列 双 N 沟道 30 V 0.02 Ohm 功率MOSFET 表面贴装 - SOIC-8

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