ZXTD1M832TA参数规格_中文资料_数据手册PDF

ZXTD1M832TA概述

TRANS DUAL PNP 12V 4A 8MLP

Bipolar BJT Transistor Array 2 PNP Dual 12V 4A 110MHz 1.7W Surface Mount 8-MLP 3x2

得捷:
TRANS 2PNP 12V 4A 8MLP

艾睿:
Trans GP BJT PNP 12V 4.4A 8-Pin MLP T/R

Win Source:
TRANS 2PNP 12V 4A 8MLP

ZXTD1M832TA中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC -12.0 V

额定电流 -4.00 A

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 12 V

集电极最大允许电流 4.4A

最小电流放大倍数hFE 180 @2.5A, 2V

额定功率Max 1.7 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1.7 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 MLP-8

外形尺寸

封装 MLP-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买ZXTD1M832TA

型号： ZXTD1M832TA

制造商： Diodes 美台

描述：TRANS DUAL PNP 12V 4A 8MLP

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替代型号ZXTD1M832TA

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ZXTD1M832TA Diodes 美台	当前型号	当前型号
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