ZX5T851GTA

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ZX5T851GTA概述

三极管

三极管


得捷:
TRANS NPN 60V 6A SOT223-3


立创商城:
NPN 60V 6A


贸泽:
Bipolar Transistors - BJT NPN 60V


e络盟:
# DIODES INC.  ZX5T851GTA  单晶体管 双极, NPN, 60 V, 130 MHz, 1.6 W, 6 A, 200 hFE


艾睿:
Jump-start your electronic circuit design with this versatile NPN ZX5T851GTA GP BJT from Diodes Zetex. This bipolar junction transistor&s;s maximum emitter base voltage is 7 V. Its maximum power dissipation is 3000 mW. Tape and reel packaging will encase this product during shipment, in order to ensure safe delivery and enable quick mounting of components. It has a maximum collector emitter voltage of 60 V and a maximum emitter base voltage of 7 V. This bipolar junction transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C.


Allied Electronics:
60V NPN Low Saturation Transistor SOT223


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 60V 6A 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


Verical:
Trans GP BJT NPN 60V 6A Automotive 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


Newark:
Bipolar BJT Single Transistor, NPN, 60 V, 130 MHz, 1.6 W, 6 A, 200 hFE


DeviceMart:
TRANSISTOR NPN 60V 6000MA SOT223


Win Source:
TRANS NPN 60V 6A SOT223


ZX5T851GTA中文资料参数规格
技术参数

频率 130 MHz

额定电压DC 60.0 V

额定电流 6.00 A

额定功率 3 W

针脚数 4

极性 NPN

耗散功率 3000 mW

增益频宽积 130 MHz

击穿电压集电极-发射极 60 V

集电极最大允许电流 6A

最小电流放大倍数hFE 100 @2A, 1V

额定功率Max 3 W

直流电流增益hFE 200

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 3 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 TO-261-4

外形尺寸

长度 6.7 mm

宽度 3.7 mm

高度 1.65 mm

封装 TO-261-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买ZX5T851GTA
型号: ZX5T851GTA
制造商: Diodes 美台
描述:三极管
替代型号ZX5T851GTA
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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