ZXTDBM832TA

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ZXTDBM832TA概述

Bipolar Transistors - BJT 20V NPN 3X2 MLP

Bipolar BJT Transistor Array 2 NPN Dual 20V 4.5A 140MHz 1.7W Surface Mount 8-MLP 3x2


得捷:
TRANS 2NPN 20V 4.5A 8MLP


贸泽:
Bipolar Transistors - BJT 20V NPN 3X2 MLP


艾睿:
Trans GP BJT NPN 20V 5A 8-Pin MLP T/R


Win Source:
TRANS 2NPN 20V 4.5A 8MLP


ZXTDBM832TA中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 20.0 V

额定电流 4.50 A

极性 NPN

耗散功率 1.5 W

增益频宽积 140 MHz

击穿电压集电极-发射极 20 V

集电极最大允许电流 5A

最小电流放大倍数hFE 200 @2A, 2V

额定功率Max 1.7 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 MLP-8

外形尺寸

长度 3 mm

宽度 2 mm

高度 1 mm

封装 MLP-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买ZXTDBM832TA
型号: ZXTDBM832TA
制造商: Diodes 美台
描述:Bipolar Transistors - BJT 20V NPN 3X2 MLP
替代型号ZXTDBM832TA
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

ZXTDBM832TA

Diodes 美台

当前型号

当前型号

ZXTD618MCTA

美台

功能相似

ZXTDBM832TA和ZXTD618MCTA的区别

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