Trans GP BJT NPN/PNP 50V/40V 4A/3A 8Pin MLP T/R
Bipolar BJT Transistor Array
得捷:
TRANS NPN/PNP 50V/40V 4A/3A 8MLP
贸泽:
Bipolar Transistors - BJT 50V NPN / 40V PNP
艾睿:
Trans GP BJT NPN/PNP 50V/40V 4A/3A 8-Pin MLP T/R
Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN/PNP 50V/40V 4A/3A 8-Pin MLP T/R
Win Source:
TRANS NPN/PNP 50V/40V 4A/3A 8MLP
额定电流 4.00 A
极性 NPN+PNP
耗散功率 3000 mW
击穿电压集电极-发射极 50V, 40V
集电极最大允许电流 4A/3A
最小电流放大倍数hFE 300 @200mA, 2V
额定功率Max 2.45 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 1 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 MLP-8
长度 3 mm
宽度 2 mm
高度 1 mm
封装 MLP-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
ZXTDC3M832TA Diodes 美台 | 当前型号 | 当前型号 |
ZXTC6719MCTA 美台 | 功能相似 | ZXTDC3M832TA和ZXTC6719MCTA的区别 |