ZXMC6A09DN8TA

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ZXMC6A09DN8TA概述

ZXMC6A09 系列 60 V 5.1 A 2.1 W 互补型 N 和 P 沟道 Mosfet - SOIC-8

MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道 60V 3.9A,3.7A 1.8W 表面贴装型 8-SOP


立创商城:
ZXMC6A09DN8TA


得捷:
MOSFET N/P-CH 60V 8-SOIC


贸泽:
MOSFET Comp. 60V NP-Chnl


艾睿:
In addition to amplifying electronic signals, you&s;ll be able to switch between various lines with the ZXMC6A09DN8TA power MOSFET, developed by Diodes Zetex. Its maximum power dissipation is 2100 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging so that components can be mounted effectively. This N|P channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C.


Allied Electronics:
MOSFET Dual N/P-Ch 60V 5.1A/4.8A SOIC8


TME:
Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 60/-60V; 4.8/-5.1A; 2.1W; SO8


Verical:
Trans MOSFET N/P-CH 60V 5.1A/4.8A Automotive 8-Pin SO T/R


儒卓力:
**CMOS 60V 5A 45mOhm SO-8 **


DeviceMart:
MOSFET N+P 60V 4.8A 8-SOIC


Win Source:
MOSFET N/P-CH 60V 8-SOIC


ZXMC6A09DN8TA中文资料参数规格
技术参数

额定电流 5.10 A

额定功率 2.1 W

通道数 2

漏源极电阻 70 mΩ

极性 N-Channel, P-Channel

耗散功率 2.1 W

漏源极电压Vds 60 V

漏源击穿电压 60 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 5.10 A

上升时间 5.80 ns

输入电容Ciss 1407pF @40VVds

额定功率Max 1.8 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 2100 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买ZXMC6A09DN8TA
型号: ZXMC6A09DN8TA
制造商: Diodes 美台
描述:ZXMC6A09 系列 60 V 5.1 A 2.1 W 互补型 N 和 P 沟道 Mosfet - SOIC-8

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