ZXMC3A16 系列 30 V 6.4 A 2.1 W 互补型 N 和 P 沟道 Mosfet - SOIC-8
Mosfet Array N and P-Channel 30V 4.9A, 4.1A 1.25W Surface Mount 8-SO
得捷:
MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
艾睿:
Trans MOSFET N/P-CH 30V 6.4A/5.5A Automotive 8-Pin SOIC T/R
安富利:
Trans MOSFET N/P-CH 30V 6.4A/5.5A 8-Pin SOIC T/R
TME:
Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 5.4/-6.4A; 2.1W; SO8
Verical:
Trans MOSFET N/P-CH 30V 6.4A/5.5A Automotive 8-Pin SOIC T/R
DeviceMart:
MOSFET N/P-CHAN DUAL 30V 8SOIC
Win Source:
MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
额定电压DC 30.0 V
额定电流 6.40 A
额定功率 2.1 W
漏源极电阻 50.0 mΩ
极性 N-Channel, P-Channel
耗散功率 2.1 W
输入电容 796 pF
栅电荷 17.5 nC
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 ±30.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 5.40 A
上升时间 6.4 ns
输入电容Ciss 796pF @25VVds
额定功率Max 1.25 W
下降时间 9.4 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
封装 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
ZXMC3A16DN8TC Diodes 美台 | 当前型号 | 当前型号 |
ZXMC3A16DN8TA 美台 | 类似代替 | ZXMC3A16DN8TC和ZXMC3A16DN8TA的区别 |