ZXMC3F31DN8TA

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ZXMC3F31DN8TA概述

Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A 8Pin SO T/R

MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道 30V 6.8A,4.9A 1.8W 表面贴装型 8-SO


立创商城:
ZXMC3F31DN8TA


得捷:
MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.9A 8SO


贸泽:
MOSFET 30V S08 Dual MOSFET 20V VBR 4.5V Gate


艾睿:
Make an effective common source amplifier using this ZXMC3F31DN8TA power MOSFET from Diodes Zetex. Its maximum power dissipation is 2100 mW. Tape and reel packaging will encase this product during shipment, in order to ensure safe delivery and enable quick mounting of components. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. This N|P channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.


安富利:
Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A 8-Pin SO T/R


TME:
Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 4.5/-7A; 2.1W; SO8


Verical:
Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A Automotive 8-Pin SO T/R


Win Source:
MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.9A 8SO


ZXMC3F31DN8TA中文资料参数规格
技术参数

额定功率 2.1 W

通道数 2

极性 N+P

耗散功率 2.1 W

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 7.3A/5.3A

输入电容Ciss 608pF @15VVds

额定功率Max 1.8 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2100 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 5 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

数据手册

在线购买ZXMC3F31DN8TA
型号: ZXMC3F31DN8TA
制造商: Diodes 美台
描述:Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A 8Pin SO T/R

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