











ZXMN10A08 系列 N 沟道 100 V 0.25 Ohm 功率MOSFET 表面贴装 - SOIC-8
MOSFET - 阵列 2 N-通道(双) 100V 1.6A 1.25W 表面贴装型 8-SOP
得捷:
MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8-SOIC
贸泽:
MOSFET 100V 2.1A N-Channel Enhancement MOSFET
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 2.1A Automotive 8-Pin SOIC T/R
Allied Electronics:
MOSFET Dual N-Channel 100V 2.1A SOIC8
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 100V 2.1A Automotive 8-Pin SOIC T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 2.1A 8-Pin SOIC T/R
儒卓力:
**N-CH 100V 2A 250mOhm SO-8 **
Win Source:
MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8-SOIC
DeviceMart:
MOSFET N-CH 100V 1.6A 8-SOIC
额定电压DC 100 V
额定电流 2.10 A
极性 N-CH
耗散功率 1.8 W
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 1.60 A
上升时间 2.2 ns
输入电容Ciss 405pF @50VVds
额定功率Max 1.25 W
下降时间 3.2 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1800 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
长度 5 mm
宽度 4 mm
高度 1.5 mm
封装 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
ZXMN10A08DN8TA Diodes 美台 | 当前型号 | 当前型号 |
ZXMN10A08DN8TC 美台 | 类似代替 | ZXMN10A08DN8TA和ZXMN10A08DN8TC的区别 |