ZXMN10A08DN8TA

ZXMN10A08DN8TA图片1
ZXMN10A08DN8TA图片2
ZXMN10A08DN8TA图片3
ZXMN10A08DN8TA图片4
ZXMN10A08DN8TA图片5
ZXMN10A08DN8TA图片6
ZXMN10A08DN8TA图片7
ZXMN10A08DN8TA图片8
ZXMN10A08DN8TA图片9
ZXMN10A08DN8TA图片10
ZXMN10A08DN8TA图片11
ZXMN10A08DN8TA图片12
ZXMN10A08DN8TA概述

ZXMN10A08 系列 N 沟道 100 V 0.25 Ohm 功率MOSFET 表面贴装 - SOIC-8

MOSFET - 阵列 2 N-通道(双) 100V 1.6A 1.25W 表面贴装型 8-SOP


得捷:
MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8-SOIC


贸泽:
MOSFET 100V 2.1A N-Channel Enhancement MOSFET


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 2.1A Automotive 8-Pin SOIC T/R


Allied Electronics:
MOSFET Dual N-Channel 100V 2.1A SOIC8


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 100V 2.1A Automotive 8-Pin SOIC T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 2.1A 8-Pin SOIC T/R


儒卓力:
**N-CH 100V 2A 250mOhm SO-8 **


Win Source:
MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8-SOIC


DeviceMart:
MOSFET N-CH 100V 1.6A 8-SOIC


ZXMN10A08DN8TA中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 100 V

额定电流 2.10 A

极性 N-CH

耗散功率 1.8 W

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 1.60 A

上升时间 2.2 ns

输入电容Ciss 405pF @50VVds

额定功率Max 1.25 W

下降时间 3.2 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1800 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 5 mm

宽度 4 mm

高度 1.5 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买ZXMN10A08DN8TA
型号: ZXMN10A08DN8TA
制造商: Diodes 美台
描述:ZXMN10A08 系列 N 沟道 100 V 0.25 Ohm 功率MOSFET 表面贴装 - SOIC-8
替代型号ZXMN10A08DN8TA
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

ZXMN10A08DN8TA

Diodes 美台

当前型号

当前型号

ZXMN10A08DN8TC

美台

类似代替

ZXMN10A08DN8TA和ZXMN10A08DN8TC的区别

 锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台  

 深圳锐单电子有限公司