TRANS DUAL PNP 12V 4A 8DFN
Bipolar BJT Transistor Array
得捷:
TRANS 2PNP 12V 4A 8DFN
贸泽:
Bipolar Transistors - BJT Dual 12V PNP Low Sat Ic -4A 60mOhm -10HFE
艾睿:
Trans GP BJT PNP 12V 4.4A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 12V 4.4A 8-Pin DFN EP T/R
DeviceMart:
TRANS ARRAY 2PNP 12V 4A DFN
Win Source:
TRANS 2PNP 12V 4A 8DFN
极性 PNP
耗散功率 2450 mW
击穿电压集电极-发射极 12 V
集电极最大允许电流 4.4A
最小电流放大倍数hFE 180 @2.5A, 2V
额定功率Max 1.7 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2450 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 DFN-8
封装 DFN-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
ZXTD717MCTA Diodes 美台 | 当前型号 | 当前型号 |
ZXTD1M832TA 美台 | 功能相似 | ZXTD717MCTA和ZXTD1M832TA的区别 |