ZXMN3G32DN8TA

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ZXMN3G32DN8TA概述

ZXMN3G32 系列 30 V 0.028 Ohm 双 N 沟道 增强模式 MOSFET - SOIC-8

Mosfet Array 2 N-Channel Dual 30V 5.5A 1.8W Surface Mount 8-SO


得捷:
MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC


贸泽:
MOSFET 30V Dual N-Channel Enhance. Mode MOSFET


艾睿:
Do you require the advantages of traditional transistors coupled with the switching benefits of power MOSFETs? Diodes Zetex&s;s ZXMN3G32DN8TA power MOSFET can provide a solution. Its maximum power dissipation is 2100 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging for quick mounting and safe delivery. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C.


安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 7.1A 8-Pin SO T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 7.1A Automotive 8-Pin SOIC T/R


Win Source:
MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC


DeviceMart:
MOSFET N-CHAN 30V 8SOIC DUAL


ZXMN3G32DN8TA中文资料参数规格
技术参数

极性 Dual N-Channel

耗散功率 2.1 W

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 7.10 A

上升时间 3.1 ns

输入电容Ciss 472pF @15VVds

额定功率Max 1.25 W

下降时间 9.7 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2100 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 5 mm

宽度 4 mm

高度 1.5 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Discontinued at Digi-Key

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

数据手册

在线购买ZXMN3G32DN8TA
型号: ZXMN3G32DN8TA
制造商: Diodes 美台
描述:ZXMN3G32 系列 30 V 0.028 Ohm 双 N 沟道 增强模式 MOSFET - SOIC-8
替代型号ZXMN3G32DN8TA
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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