ZXMHC10A07T8 100 V 0.7 Ohm N/P 沟道 增强模式 MOSFET H桥 -SM-8
MOSFET - 阵列 2 个 N 通道和 2 个 P 通道(H 桥) 100V 1A,800mA 1.3W 表面贴装型 SM-8
得捷:
MOSFET 2N/2P-CH 100V 1A/0.8A SM8
艾睿:
Trans MOSFET N/P-CH 100V 1.1A/0.9A Automotive 8-Pin SM8 T/R
Allied Electronics:
100V Enhancement MOSFET H-Bridge SM8
安富利:
Trans MOSFET N/P-CH 100V 1.1A/0.9A 8-Pin SM8 T/R
Chip1Stop:
Trans MOSFET N/P-CH 100V 1.1A/0.9A 8-Pin SM8 T/R
Verical:
Trans MOSFET N/P-CH 100V 1A/0.8A 8-Pin SM8 T/R
儒卓力:
**H-Br 100V 1A 1700mOhm SM-8 **
DeviceMart:
MOSFET H-BRIDGE N/P-CH 100V SM8
Win Source:
MOSFET 2N/2P-CH 100V 1A/0.8A SM8
额定电流 1.40 A
极性 N+P
耗散功率 1.3 W
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 1.30 A
输入电容Ciss 138pF @60VVds
额定功率Max 1.3 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1300 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOT-223-8
封装 SOT-223-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
ECCN代码 EAR99