ZXMHC10A07T8TA

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ZXMHC10A07T8TA概述

ZXMHC10A07T8 100 V 0.7 Ohm N/P 沟道 增强模式 MOSFET H桥 -SM-8

MOSFET - 阵列 2 个 N 通道和 2 个 P 通道(H 桥) 100V 1A,800mA 1.3W 表面贴装型 SM-8


得捷:
MOSFET 2N/2P-CH 100V 1A/0.8A SM8


艾睿:
Trans MOSFET N/P-CH 100V 1.1A/0.9A Automotive 8-Pin SM8 T/R


Allied Electronics:
100V Enhancement MOSFET H-Bridge SM8


安富利:
Trans MOSFET N/P-CH 100V 1.1A/0.9A 8-Pin SM8 T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET N/P-CH 100V 1.1A/0.9A 8-Pin SM8 T/R


Verical:
Trans MOSFET N/P-CH 100V 1A/0.8A 8-Pin SM8 T/R


儒卓力:
**H-Br 100V 1A 1700mOhm SM-8 **


DeviceMart:
MOSFET H-BRIDGE N/P-CH 100V SM8


Win Source:
MOSFET 2N/2P-CH 100V 1A/0.8A SM8


ZXMHC10A07T8TA中文资料参数规格
技术参数

额定电流 1.40 A

极性 N+P

耗散功率 1.3 W

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 1.30 A

输入电容Ciss 138pF @60VVds

额定功率Max 1.3 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOT-223-8

外形尺寸

封装 SOT-223-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买ZXMHC10A07T8TA
型号: ZXMHC10A07T8TA
制造商: Diodes 美台
描述:ZXMHC10A07T8 100 V 0.7 Ohm N/P 沟道 增强模式 MOSFET H桥 -SM-8

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