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04021JR15ZBSTR概述

基于硅的射频电容器/薄膜电容器 100V 0.15pF .01pFT ThinFilm 0402

0.15pF Thin Film Capacitor 100V 0402 1005 Metric


得捷:
CAP THIN FILM 0.15PF 100V 0402


贸泽:
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 100V 0.15pF .01pFT ThinFilm 0402


艾睿:
Cap Silicon 0.15pF 100V 0±30ppm/°C 0.01pF SMD 0402 125°C Automotive T/R


Verical:
Cap Silicon 0.15pF 100V 0±30ppm/C 0.01pF SMD 0402 125C Automotive T/R


04021JR15ZBSTR中文资料参数规格
技术参数

电容 0.15 pF

容差 ±0.01 pF

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -55 ℃

额定电压 100 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装公制 1005

封装 0402

外形尺寸

长度 1 mm

宽度 0.55 mm

高度 0.4 mm

封装公制 1005

封装 0402

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买04021JR15ZBSTR
型号: 04021JR15ZBSTR
制造商: AVX 艾维克斯
描述:基于硅的射频电容器/薄膜电容器 100V 0.15pF .01pFT ThinFilm 0402

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