06035J4R0BBTTR参数规格_中文资料_数据手册PDF

06035J4R0BBTTR概述

基于硅的射频电容器/薄膜电容器 50V 4pF .1pFTol ThinFilm 0603

4pF Thin Film Capacitor 50V 0603 1608 Metric

得捷:
CAP THIN FILM 4PF 50V 0603

贸泽:
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 50V 4pF .1pFTol ThinFilm 0603

安富利:
Cap Ceramic 4pF 50V C0G 0.1pF SMD 0603 125°C T/R

06035J4R0BBTTR中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 50 V

电容 4.0 pF

容差 ±0.1 pF

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -55 ℃

额定电压 50 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装公制 1608

封装 0603

外形尺寸

长度 1.6 mm

宽度 0.81 mm

高度 0.63 mm

封装公制 1608

封装 0603

物理参数

材质 A-F/-55℃~+125℃

工作温度 -55℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

最小包装 4000

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

06035J4R0BBTTR引脚图与封装图

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型号： 06035J4R0BBTTR

描述：基于硅的射频电容器/薄膜电容器 50V 4pF .1pFTol ThinFilm 0603