08051J0R3BBTTR参数规格_中文资料_数据手册PDF

08051J0R3BBTTR概述

基于硅的射频电容器/薄膜电容器 100V 0.3pF .1pFTol ThinFilm 0805

薄膜器 0805（2012 公制）

得捷:
CAP THIN FILM 0.3PF 100V 0805

贸泽:
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 100V 0.3pF .1pFTol ThinFilm 0805

安富利:
Cap Ceramic 0.3pF 100V C0G 0.1pF SMD 0805 125°C T/R

08051J0R3BBTTR中文资料参数规格

技术参数

电容 0.30 pF

容差 ±0.1 pF

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -55 ℃

额定电压 100 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装公制 2012

封装 0805

外形尺寸

长度 2.01 mm

宽度 1.27 mm

高度 0.93 mm

封装公制 2012

封装 0805

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

08051J0R3BBTTR引脚图与封装图

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型号： 08051J0R3BBTTR

描述：基于硅的射频电容器/薄膜电容器 100V 0.3pF .1pFTol ThinFilm 0805