06035J0R2PBTTR概述
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 50V 0.2pF .02pFTol ThinFilm 0603
0.2 pF 薄膜器 50 V 0603（1608 公制）
得捷:
CAP THIN FILM 0.2PF 50V 0603
贸泽:
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 50V 0.2pF .02pFTol ThinFilm 0603
安富利:
Cap Ceramic 0.2pF 50V 0±30ppm/C 0.02pF SMD 0603 125°C T/R
06035J0R2PBTTR中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 50.0 V
电容 0.2 pF
容差 ±0.02 pF
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -55 ℃
额定电压 50 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装公制 1608
封装 0603
外形尺寸
长度 1.6 mm
宽度 0.81 mm
高度 0.63 mm
封装公制 1608
封装 0603
物理参数
材质 A-F/-55℃~+125℃
工作温度 -55℃ ~ 125℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Cut Tape CT, Tape & Reel TR
最小包装 4000
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
06035J0R2PBTTR引脚图与封装图 
