06035JR16PBTTR参数规格_中文资料_数据手册PDF

06035JR16PBTTR概述

基于硅的射频电容器/薄膜电容器 50V 0.16pF .02pFT ThinFilm 0603

薄膜器 0603（1608 公制）

得捷:
CAP THIN FILM 0.16PF 50V 0603

贸泽:
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 50V 0.16pF .02pFT ThinFilm 0603

安富利:
Cap Ceramic 0.16pF 50V C0G 0.02pF SMD 0603 125°C T/R

06035JR16PBTTR中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 50 V

电容 0.16 pF

容差 ±0.02 pF

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -55 ℃

额定电压 50 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装公制 1608

封装 0603

外形尺寸

长度 1.6 mm

宽度 0.81 mm

高度 0.63 mm

封装公制 1608

封装 0603

物理参数

材质 A-F/-55℃~+125℃

工作温度 -55℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

最小包装 4000

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

06035JR16PBTTR引脚图与封装图

在线购买06035JR16PBTTR

型号： 06035JR16PBTTR

描述：基于硅的射频电容器/薄膜电容器 50V 0.16pF .02pFT ThinFilm 0603