基于硅的射频电容器/薄膜电容器 50V 3.3pF .05pFTol ThinFilm 0805
3.3pF Thin Film Capacitor 50V 0805 2012 Metric
得捷: CAP THIN FILM 3.3PF 50V 0805
贸泽: 基于硅的射频电容器/薄膜电容器 50V 3.3pF .05pFTol ThinFilm 0805
额定电压DC 50.0 V
电容 3.3 pF
容差 0.05 pF
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -55 ℃
额定电压 50 V
安装方式 Surface Mount
封装公制 2012
封装 0805
长度 2.01 mm
宽度 1.27 mm
高度 0.93 mm
材质 A-F/-55℃~+125℃
工作温度 -55℃ ~ 125℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
最小包装 3000
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
数据手册