08055J0R7PBTTR参数规格_中文资料_数据手册PDF

08055J0R7PBTTR概述

基于硅的射频电容器/薄膜电容器 50V 0.7pF .02pFTol ThinFilm 0805

0.7 pF 薄膜器 50 V 0805（2012 公制）

得捷:
CAP THIN FILM 0.7PF 50V 0805

贸泽:
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 50V 0.7pF .02pFTol ThinFilm 0805

安富利:
Cap Ceramic 0.7pF 50V C0G 0.02pF SMD 0805 125°C T/R

08055J0R7PBTTR中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 50.0 V

电容 0.70 pF

容差 ±0.02 pF

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -55 ℃

额定电压 50 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装公制 2012

封装 0805

外形尺寸

长度 2.01 mm

宽度 1.27 mm

高度 0.93 mm

封装公制 2012

封装 0805

物理参数

材质 A-F/-55℃~+125℃

工作温度 -55℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

最小包装 3000

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

08055J0R7PBTTR引脚图与封装图

在线购买08055J0R7PBTTR

型号： 08055J0R7PBTTR

描述：基于硅的射频电容器/薄膜电容器 50V 0.7pF .02pFTol ThinFilm 0805