08051K4R7CBTTR参数规格_中文资料_数据手册PDF

08051K4R7CBTTR概述

高纯度的电极，用于非常低的和可重复 High purity of electrodes for very low and repeatable

4.7pF Thin Film Capacitor 100V 0805 2012 Metric

得捷:
CAP THIN FILM 4.7PF 100V 0805

艾睿:
Cap Silicon 4.7pF 100V 0

Win Source:
4.7pF Thin Film Capacitor 100V 0805 2012 Metric 0.079" L x 0.050" W 2.01mm x 1.27mm

08051K4R7CBTTR中文资料参数规格

技术参数

电容 4.7 pF

容差 ±0.25 pF

额定电压 100 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装公制 2012

封装 0805

外形尺寸

长度 2.01 mm

宽度 1.27 mm

高度 930 µm

封装公制 2012

封装 0805

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

08051K4R7CBTTR引脚图与封装图

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型号： 08051K4R7CBTTR

描述：高纯度的电极，用于非常低的和可重复 High purity of electrodes for very low and repeatable