04023J2R8QBSTR参数规格_中文资料_数据手册PDF

04023J2R8QBSTR概述

基于硅的射频电容器/薄膜电容器 25V 2.8pF .03pFTol ThinFilm 0402

薄膜器

贸泽:
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 25V 2.8pF .03pFTol ThinFilm 0402

艾睿:
Cap Silicon 2.8pF 25V 0

安富利:
Cap Ceramic 2.8pF 25V 0±30ppm/C 0.03pF SMD 0402 125°C T/R

04023J2R8QBSTR中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 25.0 V

电容 2.8 pF

容差 0.03 pF

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装公制 1005

封装 0402

外形尺寸

长度 1 mm

宽度 0.55 mm

高度 0.4 mm

封装公制 1005

封装 0402

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号： 04023J2R8QBSTR

描述：基于硅的射频电容器/薄膜电容器 25V 2.8pF .03pFTol ThinFilm 0402