08051K1R0BBTTR参数规格_中文资料_数据手册PDF

08051K1R0BBTTR概述

基于硅的射频电容器/薄膜电容器 100V 1pF .1pFTol ThinFilm 0805

1pF Thin Film Capacitor 100V 0805 2012 Metric

得捷:
CAP THIN FILM 1PF 100V 0805

贸泽:
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 100V 1pF .1pFTol ThinFilm 0805

艾睿:
Cap Silicon 1pF 100V 0

安富利:
Cap Ceramic 1pF 100V 0±60ppm/C 0.1pF SMD 0805 125°C T/R

08051K1R0BBTTR中文资料参数规格

技术参数

电容 1 pF

容差 ±0.1 pF

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -55 ℃

额定电压 100 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装公制 2012

封装 0805

外形尺寸

长度 2.01 mm

宽度 1.27 mm

高度 0.93 mm

封装公制 2012

封装 0805

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

08051K1R0BBTTR引脚图与封装图

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型号： 08051K1R0BBTTR

描述：基于硅的射频电容器/薄膜电容器 100V 1pF .1pFTol ThinFilm 0805