晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 80 V, 0.0022 ohm, 10 V, 3 V
Summary of Features:
Benefits:
Target Applications:
额定功率 156 W
通道数 1
针脚数 8
漏源极电阻 3.9 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 156 W
阈值电压 2.2 V
漏源极电压Vds 80 V
漏源击穿电压 80 V
连续漏极电流Ids 100A
上升时间 14 ns
输入电容Ciss 6800pF @40VVds
下降时间 16 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.5W Ta, 156W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 PG-TDSON-8
宽度 5.15 mm
封装 PG-TDSON-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅