BCW68G

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BCW68G概述

PNP 晶体管,40 至 50V,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。

集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| -60V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| −45V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| -800mA/-0.8A 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 100MHz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 160~400 管压降VCE(sat)Collector-Emitter SaturationVoltage| -1.5V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 350mW/0.35W Description & Applications| PNP General Purpose Amplifier This device is designed for general purpose amplifier and switching applications at currents to 500 mA. Sourced from Process 63. 描述与应用| PNP通用放大器 这个装置是专为通用放大器和开关应用电流为500 mA。来源于工艺63

BCW68G中文资料参数规格
技术参数

频率 100 MHz

额定电压DC -45.0 V

额定电流 -800 mA

极性 PNP, P-Channel

耗散功率 350 mW

增益频宽积 100 MHz

击穿电压集电极-发射极 45 V

最小电流放大倍数hFE 160

最大电流放大倍数hFE 400

额定功率Max 350 mW

直流电流增益hFE 160

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 350 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.92 mm

宽度 1.3 mm

高度 0.93 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

重量 0.0009598015184 kg

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

BCW68G引脚图与封装图
BCW68G引脚图
BCW68G封装图
BCW68G封装焊盘图
在线购买BCW68G
型号: BCW68G
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:PNP 晶体管,40 至 50V,Fairchild Semiconductor ### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor 双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
替代型号BCW68G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

BCW68G

Fairchild 飞兆/仙童

当前型号

当前型号

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飞兆/仙童

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