BC856BWT1参数规格_中文资料_数据手册PDF

BC856BWT1中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC -65.0 V

额定电流 -100 mA

极性 PNP

耗散功率 150 mW

击穿电压集电极-发射极 65 V

集电极最大允许电流 0.1A

最小电流放大倍数hFE 220

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SC-70-3

外形尺寸

长度 2.1 mm

宽度 1.24 mm

高度 0.85 mm

封装 SC-70-3

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买BC856BWT1

型号： BC856BWT1

制造商： ON Semiconductor 安森美

描述：通用晶体管（ PNP硅） General Purpose TransistorsPNP Silicon

替代型号BC856BWT1