BLF6G10LS-200,118参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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BLF6G10LS-200,118中文资料参数规格

技术参数

频率 871.5 MHz

额定电流 49 A

漏源极电阻 60 mΩ

漏源击穿电压 65 V

输出功率 40 W

增益 20.2 dB

测试电流 1.4 A

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 65 ℃

额定电压 65 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-502

外形尺寸

长度 20.7 mm

宽度 9.91 mm

高度 4.72 mm

封装 SOT-502

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BLF6G10LS-200,118

型号： BLF6G10LS-200,118

制造商： NXP 恩智浦

描述：RF MOSFET Transistors LDMOS TNS

替代型号BLF6G10LS-200,118

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
BLF6G10LS-200,118 NXP 恩智浦	当前型号	当前型号
BLF6G10LS-200,112 恩智浦	完全替代	BLF6G10LS-200,118和BLF6G10LS-200,112的区别
BLF6G10LS-200RN 恩智浦	功能相似	BLF6G10LS-200,118和BLF6G10LS-200RN的区别
BLF6G10LS-200R,118 恩智浦	功能相似	BLF6G10LS-200,118和BLF6G10LS-200R,118的区别