C2012C0G1H821JT参数规格_中文资料_数据手册PDF

C2012C0G1H821JT中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 50.0 V

电容 820 pF

容差 ±5 %

电介质特性 C0G/NP0

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装公制 2012

封装 2012

外形尺寸

长度 2.00 mm

宽度 1.25 mm

封装公制 2012

封装 2012

物理参数

介质材料 Ceramic Multilayer

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

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型号： C2012C0G1H821JT

制造商： TDK 东电化

描述：Ceramic Capacitor, Multilayer, Ceramic, 50V, 5% +Tol, 5% -Tol, C0G, 30ppm/Cel TC, 0.00082uF, Surface Mount, 0805, CHIP

替代型号C2012C0G1H821JT