FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FMB3904 双极晶体管阵列, NPN, 40 V, 700 mW, 200 mA, 40 hFE, SOT-23
集电极-基极反向击穿电压VBRCBO Collector-Base VoltageVCBO | 60V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEO Collector-Emitter VoltageVCEO | 40V 集电极连续输出电流IC Collector CurrentIC | 200MA 截止频率fT Transtion FrequencyfT | 450MHZ 直流电流增益hFE DC Current GainhFE | 30~300 管压降VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage | 0.3V 耗散功率Pc Power Dissipation | 0.7W 描述与应用 Description & Applications | NPN型通用放大器 技术文档PDF下载 | 在线阅读
欧时:
### 双路和四路多片晶体管,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
艾睿:
Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 6-Pin SuperSOT T/R
安富利:
Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 6-Pin SuperSOT T/R
富昌:
FMB3904 系列 40 V 200 mA NPN 多芯片 通用 放大器 - SSOT-6
Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 6-Pin SuperSOT T/R
Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FMB3904 Bipolar BJT Array Transistor, NPN, 40 V, 700 mW, 200 mA, 40, SOT-23
Win Source:
TRANS 2NPN 40V 0.2A 6SSOT
DeviceMart:
TRANSISTOR NPN 40V SSOT-6
额定电压DC 40.0 V
额定电流 200 mA
针脚数 6
极性 NPN
耗散功率 700 mW
击穿电压集电极-发射极 40 V
集电极最大允许电流 0.2A
最小电流放大倍数hFE 100 @10mA, 1V
额定功率Max 700 mW
直流电流增益hFE 40
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 700 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 TSOT-23-6
长度 3 mm
宽度 1.7 mm
高度 1 mm
封装 TSOT-23-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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FMB3904 Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
FFB3904 飞兆/仙童 | 类似代替 | FMB3904和FFB3904的区别 |
MMDT3904-7-F 美台 | 功能相似 | FMB3904和MMDT3904-7-F的区别 |
MBT3904DW1T1G 安森美 | 功能相似 | FMB3904和MBT3904DW1T1G的区别 |