IPP50R380CEXKSA1

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IPP50R380CEXKSA1概述

Infineon CoolMOS CE 系列 Si N沟道 MOSFET IPP50R380CEXKSA1, 10.6 A, Vds=550 V, 3引脚 TO-220封装

CoolMOS™ CE 功率 MOSFET


欧时:
Infineon CoolMOS CE 系列 Si N沟道 MOSFET IPP50R380CEXKSA1, 10.6 A, Vds=550 V, 3引脚 TO-220封装


得捷:
MOSFET N-CH 500V 9.9A TO220-3


立创商城:
N沟道 500V 9.9A


贸泽:
MOSFET N-Ch 500V 32.4A TO220-3


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 500 V, 14.1 A, 0.35 ohm, TO-220, 通孔


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 550V 10.6A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


安富利:
Trans MOSFET N-CH 550V 9.9A 3-Pin TO-220 Tube


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 9.9A; 73W; PG-TO220-3


Verical:
Trans MOSFET N-CH 550V 14.1A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


Win Source:
MOSFET N-CH 500V 9.9A TO220-3 / N-Channel 500 V 9.9A Tc 73W Tc Through Hole PG-TO220-3


IPP50R380CEXKSA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 73 W

针脚数 3

漏源极电阻 0.35 Ω

极性 N-CH

耗散功率 98 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 500 V

连续漏极电流Ids 10.6A

上升时间 5.6 ns

输入电容Ciss 700pF @100VVds

下降时间 8.6 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 73 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.36 mm

宽度 4.57 mm

高度 15.95 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IPP50R380CEXKSA1
型号: IPP50R380CEXKSA1
描述:Infineon CoolMOS CE 系列 Si N沟道 MOSFET IPP50R380CEXKSA1, 10.6 A, Vds=550 V, 3引脚 TO-220封装
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