Infineon CoolMOS CE 系列 Si N沟道 MOSFET IPP50R380CEXKSA1, 10.6 A, Vds=550 V, 3引脚 TO-220封装
CoolMOS™ CE 功率 MOSFET
欧时:
Infineon CoolMOS CE 系列 Si N沟道 MOSFET IPP50R380CEXKSA1, 10.6 A, Vds=550 V, 3引脚 TO-220封装
得捷:
MOSFET N-CH 500V 9.9A TO220-3
立创商城:
N沟道 500V 9.9A
贸泽:
MOSFET N-Ch 500V 32.4A TO220-3
e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 500 V, 14.1 A, 0.35 ohm, TO-220, 通孔
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 550V 10.6A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
安富利:
Trans MOSFET N-CH 550V 9.9A 3-Pin TO-220 Tube
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 9.9A; 73W; PG-TO220-3
Verical:
Trans MOSFET N-CH 550V 14.1A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
Win Source:
MOSFET N-CH 500V 9.9A TO220-3 / N-Channel 500 V 9.9A Tc 73W Tc Through Hole PG-TO220-3
额定功率 73 W
针脚数 3
漏源极电阻 0.35 Ω
极性 N-CH
耗散功率 98 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 500 V
连续漏极电流Ids 10.6A
上升时间 5.6 ns
输入电容Ciss 700pF @100VVds
下降时间 8.6 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 73 W
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.36 mm
宽度 4.57 mm
高度 15.95 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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IPP50R380CEXKSA1 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
SIHP12N50E-GE3 威世 | 功能相似 | IPP50R380CEXKSA1和SIHP12N50E-GE3的区别 |