IPU135N08N3 G参数规格_中文资料_数据手册PDF

IPU135N08N3 G概述

MOSFET N-Ch 80V 50A IPAK-3

N-Channel 80V 50A Tc 79W Tc Through Hole PG-TO251-3

得捷:
MOSFET N-CH 80V 50A TO251-3

DeviceMart:
MOSFET N-CH 80V 50A TO251-3

IPU135N08N3 G中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 79W Tc

漏源极电压Vds 80 V

输入电容Ciss 1730pF @40VVds

耗散功率Max 79W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-251-3

外形尺寸

封装 TO-251-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IPU135N08N3 G

型号： IPU135N08N3 G

描述：MOSFET N-Ch 80V 50A IPAK-3