IRFD9120PBF

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IRFD9120PBF概述

MOSFET P-CH 100V 1A 4-DIP

通孔 P 通道 1A(Ta) 1.3W(Ta) 4-DIP,Hexdip,HVMDIP


得捷:
MOSFET P-CH 100V 1A 4DIP


贸泽:
MOSFET P-Chan 100V 1.0 Amp


Chip1Stop:
Trans MOSFET P-CH 100V 1A 4-Pin HVMDIP


DeviceMart:
MOSFET P-CH 100V 1A 4-DIP


IRFD9120PBF中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 1300 mW

漏源极电压Vds 100 V

上升时间 29 ns

输入电容Ciss 390pF @25VVds

下降时间 25 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 1.3W Ta

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 DIP-4

外形尺寸

长度 6.29 mm

宽度 5 mm

高度 3.37 mm

封装 DIP-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IRFD9120PBF
型号: IRFD9120PBF
制造商: Vishay Siliconix
描述:MOSFET P-CH 100V 1A 4-DIP
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