IXFX26N60Q参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXFX26N60Q概述

Trans MOSFET N-CH 600V 26A 3Pin3+Tab PLUS 247

N-Channel 600V 26A Tc 360W Tc Through Hole PLUS247™-3

得捷:
MOSFET N-CH 600V 26A PLUS247-3

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin3+Tab PLUS 247

IXFX26N60Q中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 360W Tc

漏源极电压Vds 600 V

输入电容Ciss 5100pF @25VVds

耗散功率Max 360W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Last Time Buy

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXFX26N60Q

型号： IXFX26N60Q

制造商： IXYS Semiconductor

描述：Trans MOSFET N-CH 600V 26A 3Pin3+Tab PLUS 247

替代型号IXFX26N60Q