砷化镓红外发光二极管 GaAs Infrared Light Emitting Diode
EMITTER IR 950NM 100MA RADIAL
额定功率 5.50 mW
正向电压 1.3 V
波长 950 nm
视角 70°
正向电流 100 mA
正向电流Max 100 mA
安装方式 Through Hole
封装 Radial
工作温度 -25℃ ~ 85℃ TA
产品生命周期 Unknown
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
数据手册
