LSIC2SD120C10

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LSIC2SD120C10概述

二极管, 碳化硅肖特基, 单, 1.2 kV, 33 A, 30 nC, TO-252

Diode Silicon Carbide Schottky 1200V 33A DC Surface Mount TO-252, D-Pak


得捷:
DIODE SIL CARB 1.2KV 33A TO252L


贸泽:
肖特基二极管与整流器 1200V 10A 2-lead GEN2 SiC


e络盟:
二极管, 碳化硅肖特基, 单, 1.2 kV, 33 A, 30 nC, TO-252


艾睿:
Diode Schottky SiC 1.2KV 33A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


TME:
Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 1.2kV; 10A; 76W; DPAK


Verical:
Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 33A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


LSIC2SD120C10中文资料参数规格
技术参数

正向电压 1.8 V

耗散功率 100 W

反向恢复时间 0 ns

正向电流 33000 mA

正向电流Max 33 A

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

工作结温Max 175 ℃

耗散功率Max 176000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买LSIC2SD120C10
型号: LSIC2SD120C10
描述:二极管, 碳化硅肖特基, 单, 1.2 kV, 33 A, 30 nC, TO-252

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