MMBZ33VALT1G

MMBZ33VALT1G图片1
MMBZ33VALT1G图片2
MMBZ33VALT1G图片3
MMBZ33VALT1G图片4
MMBZ33VALT1G图片5
MMBZ33VALT1G图片6
MMBZ33VALT1G图片7
MMBZ33VALT1G图片8
MMBZ33VALT1G图片9
MMBZ33VALT1G图片10
MMBZ33VALT1G图片11
MMBZ33VALT1G图片12
MMBZ33VALT1G图片13
MMBZ33VALT1G图片14
MMBZ33VALT1G概述

ON SEMICONDUCTOR  MMBZ33VALT1G  TVS二极管, TVS, MMBZ系列, 单向, 26 V, 46 V, SOT-23, 3 引脚

瞬态电压双共阳极齐纳,On Semiconductor

共阳配置中的双表面安装瞬态电压抑制器

特别适用于自动插入

低泄漏


立创商城:
MMBZ33VALT1G


得捷:
TVS DIODE 26VWM 46VC SOT23-3


欧时:
TVS 二极管 ON Semiconductor MMBZ33VALT1G 单向, 40W, 46V, 3针 SOT-23封装


贸泽:
ESD Suppressors / TVS Diodes 33V 225mW Dual Common Anode


e络盟:
TVS二极管, MMBZ3系列, 单向, 26 V, 46 V, SOT-23, 3 引脚


艾睿:
Install this tvs MMBZ33VALT1G ESD protection device from ON Semiconductor to prevent future damage to your electronic equipment from electrostatic discharge. This ESD diode has a maximum ESD protection device voltage of 16@HBM/0.4@MM kV. This device&s;s maximum clamping voltage is 46 V. This ESD diode has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. This product will be shipped in tape and reel packaging to allow for quick mounting and safe delivery. It is made in a dual common anode|single configuration.


Allied Electronics:
MMBZ33VALT1G; Dual Uni-Directional TVS Diode; 40W; 3-Pin SOT-23


安富利:
ESD Suppressor TVS 16KV 3-Pin SOT-23 T/R


富昌:
MMBZ 系列 40 W 33 V 单向 表面贴装 TVS 二极管 - SOT-23-3


Chip1Stop:
ESD Suppressor TVS Uni-Dir/Bi-Dir 26V Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


TME:
Diode: transil; 40W; 33V; 0.87A; SOT23; Package: reel, tape


Verical:
ESD Suppressor Diode Zener Uni-Dir/Bi-Dir 26V 3-Pin SOT-23 T/R


Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  MMBZ33VALT1G  TVS Diode, MMBZ3 Series, Unidirectional, 26 V, 46 V, SOT-23, 3 Pins


Win Source:
TVS DIODE 26VWM 46VC SOT23


MMBZ33VALT1G中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 33.0 V

工作电压 26.0 V

额定电流 1.00 A

额定功率 40.0 W

击穿电压 33.0 V

针脚数 3

正向电压 0.9 V

耗散功率 40 W

钳位电压 46 V

测试电流 1 mA

最大反向击穿电压 34.65 V

脉冲峰值功率 40 W

最小反向击穿电压 31.35 V

击穿电压 31.35 V

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

工作结温 -55℃ ~ 150℃

耗散功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 3.04 mm

宽度 1.3 mm

高度 0.94 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Industrial, 通信与网络, 工业, 医用, Medical, Computers & Computer Peripherals, 汽车级, Communications & Networking, 计算机和计算机周边

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2016/06/20

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

MMBZ33VALT1G引脚图与封装图
MMBZ33VALT1G引脚图
MMBZ33VALT1G封装图
MMBZ33VALT1G封装焊盘图
在线购买MMBZ33VALT1G
型号: MMBZ33VALT1G
描述:ON SEMICONDUCTOR  MMBZ33VALT1G  TVS二极管, TVS, MMBZ系列, 单向, 26 V, 46 V, SOT-23, 3 引脚
替代型号MMBZ33VALT1G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

MMBZ33VALT1G

ON Semiconductor 安森美

当前型号

当前型号

MMBZ33VALT1

安森美

完全替代

MMBZ33VALT1G和MMBZ33VALT1的区别

MMBZ33VALT3

安森美

完全替代

MMBZ33VALT1G和MMBZ33VALT3的区别

SZMMBZ33VALT1G

安森美

类似代替

MMBZ33VALT1G和SZMMBZ33VALT1G的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台