MSM5118160F-60T3K-MT参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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MSM5118160F-60T3K-MT概述

IC DRAM 16Mbit 60NS 50TSOP

DRAM Memory IC 16Mb 1M x 16 Parallel 30ns

得捷:
IC DRAM 16MBIT PARALLEL 50TSOP

安富利:
DRAM Chip FPM 16M-Bit 1Mx16 5V 44-Pin TSOP

MSM5118160F-60T3K-MT中文资料参数规格

技术参数

存取时间 30 ns

电源电压 4.5V ~ 5.5V

封装参数

封装 -

外形尺寸

封装 -

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买MSM5118160F-60T3K-MT

型号： MSM5118160F-60T3K-MT

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：IC DRAM 16Mbit 60NS 50TSOP