NPN 晶体管,最大 1A,ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。
通用 NPN ,最大 1A,
### 标准
带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。
欧时:
ON Semiconductor MMBT4403LT3G , PNP 晶体管, 600 mA, Vce=40 V, HFE:20, 100 MHz, 3引脚 SOT-23封装
得捷:
TRANS PNP 40V 0.6A SOT23-3
贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT 600mA 40V PNP
艾睿:
Thanks to ON Semiconductor, your circuit can handle high levels of voltage using the PNP MMBT4403LT3G general purpose bipolar junction transistor. This bipolar junction transistor&s;s maximum emitter base voltage is 5 V. Its maximum power dissipation is 300 mW. This component will be shipped in tape and reel packaging to allow for effective mounting and safe delivery. This bipolar junction transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. It has a maximum collector emitter voltage of 40 V and a maximum emitter base voltage of 5 V.
Allied Electronics:
Transistor PNP 40V 600mA Switching SOT23
安富利:
Trans GP BJT PNP 40V 0.6A 3-Pin SOT-23 T/R
Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 40V 0.6A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Verical:
Trans GP BJT PNP 40V 0.6A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Newark:
# ON SEMICONDUCTOR MMBT4403LT3G Bipolar BJT Single Transistor, PNP, 40 V, 200 MHz, 225 mW, -600 mA, 100 hFE
DeviceMart:
TRANS PNP GP 40V 600MA SOT-23
Win Source:
TRANS PNP 40V 0.6A SOT-23
频率 200 MHz
额定电压DC -40.0 V
额定电流 600 mA
针脚数 3
极性 PNP
耗散功率 225 mW
击穿电压集电极-发射极 40 V
集电极最大允许电流 0.6A
最小电流放大倍数hFE 100 @150mA, 2V
额定功率Max 300 mW
直流电流增益hFE 100
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 3.04 mm
宽度 2.64 mm
高度 1.11 mm
封装 SOT-23-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
---|---|---|
MMBT4403LT3G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
MMBT4403LT3 安森美 | 完全替代 | MMBT4403LT3G和MMBT4403LT3的区别 |
MMBT4403LT1G 安森美 | 类似代替 | MMBT4403LT3G和MMBT4403LT1G的区别 |
SMMBT4403LT1G 安森美 | 类似代替 | MMBT4403LT3G和SMMBT4403LT1G的区别 |