12安培NPN硅功率晶体管400伏 - 100瓦 12 AMPERE NPN SILICON POWER TRANSISTOR 400 VOLTS − 100 WATTS
- 双极 BJT - 单 NPN 4MHz 通孔 TO-220AB
得捷:
TRANS NPN 400V 12A TO220
贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT 12A 400V 100W NPN
艾睿:
Trans GP BJT NPN 400V 12A 100000mW 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
安富利:
Trans GP BJT NPN 400V 12A 3-Pin3+Tab TO-220AB Rail
TME:
Transistor: bipolar, NPN; 700V; 12A; 100W; TO220
Verical:
Trans GP BJT NPN 400V 12A 3-Pin3+Tab TO-220AB Rail
频率 4 MHz
额定电压DC 400 V
额定电流 12.0 A
额定功率 100 W
极性 NPN
耗散功率 100 W
击穿电压集电极-发射极 400 V
集电极最大允许电流 12A
最小电流放大倍数hFE 8
最大电流放大倍数hFE 40
额定功率Max 2 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 100000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.28 mm
宽度 4.82 mm
高度 9.28 mm
封装 TO-220-3
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
MJE13009G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
MJE13009 安森美 | 类似代替 | MJE13009G和MJE13009的区别 |
ST13009 意法半导体 | 功能相似 | MJE13009G和ST13009的区别 |