MMBF170

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  MMBF170  晶体管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 60 V, 5 ohm, 10 V, 2.1 V

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage | 60V \---|--- 最大栅源极电压Vgs± Gate-Source Voltage | 20V 最大漏极电流Id Drain Current | 500MA 源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State | VGS = 10V, ID = 200mA RDS=1.5~5Ω 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage | 0.8~3v 耗散功率Pd Power dissipation | 300mw 描述与应用 Description & Applications | 　n沟道增强型场效应 　　■高密度细胞设计低RDS上。 　　■小信号电压控制开关。 　　■坚固和可靠的。 　　■高饱和电流的能力。

得捷:
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

欧时:
### 增强模式 N 通道 MOSFET， Fairchild Semiconductor增强模式场效应晶体管 FET 使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种高密度工艺设计用于尽量减小通态电阻，提供耐用可靠的性能和快速切换。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

e络盟:
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  MMBF170..  晶体管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 60 V, 5 ohm, 10 V, 2.1 V

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R

安富利:
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R

富昌:
MMBF170 N沟道 60 V 5 Ohm 增强模式 场效应晶体管 - SOT-23

Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R

TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; 0.3W; SOT23

Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R

Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  MMBF170  MOSFET Transistor, N Channel, 500 mA, 60 V, 5 ohm, 10 V, 2.1 V

Win Source:
MOSFET N-CH 60V 500MA SOT-23