MMBT2907ALT1G

MMBT2907ALT1G图片1
MMBT2907ALT1G图片2
MMBT2907ALT1G图片3
MMBT2907ALT1G图片4
MMBT2907ALT1G图片5
MMBT2907ALT1G图片6
MMBT2907ALT1G图片7
MMBT2907ALT1G图片8
MMBT2907ALT1G图片9
MMBT2907ALT1G图片10
MMBT2907ALT1G图片11
MMBT2907ALT1G图片12
MMBT2907ALT1G图片13
MMBT2907ALT1G图片14
MMBT2907ALT1G图片15
MMBT2907ALT1G图片16
MMBT2907ALT1G图片17
MMBT2907ALT1G图片18
MMBT2907ALT1G图片19
MMBT2907ALT1G图片20
MMBT2907ALT1G图片21
MMBT2907ALT1G图片22
MMBT2907ALT1G图片23
MMBT2907ALT1G图片24
MMBT2907ALT1G图片25
MMBT2907ALT1G图片26
MMBT2907ALT1G图片27
MMBT2907ALT1G图片28
MMBT2907ALT1G图片29
MMBT2907ALT1G图片30
MMBT2907ALT1G图片31
MMBT2907ALT1G图片32
MMBT2907ALT1G概述

ON SEMICONDUCTOR  MMBT2907ALT1G  单晶体管 双极, 通用, PNP, -60 V, 200 MHz, 225 mW, -600 mA, 200 hFE

小信号 PNP ,

### 标准

带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。


立创商城:
PNP 双极晶体管


得捷:
TRANS PNP 60V 0.6A SOT23-3


欧时:
小信号 PNP 晶体管,ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管


艾睿:
The three terminals of this PNP MMBT2907ALT1G GP BJT from ON Semiconductor give it the ability to be used as either an electronic switch or amplifier. This bipolar junction transistor&s;s maximum emitter base voltage is 5 V. Its maximum power dissipation is 300 mW. This component will be shipped in tape and reel packaging for effective mounting and safe delivery. This bipolar junction transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. It has a maximum collector emitter voltage of 60 V and a maximum emitter base voltage of 5 V.


Allied Electronics:
Transistor; Bipolar; Si; PNP; General Purpose; VCEO -60VDC; IC -600mA; PD 225mW; hFE 50


Jameco:
Trans General Purpose BJT PNP 60 Volt 1.2A 3-Pin SOT-23 Tape and Reel


安富利:
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 3-Pin SOT-23 T/R


Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 300mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


TME:
Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 225mW; SOT23


Verical:
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


Newark:
Bipolar BJT Single Transistor, General Purpose, PNP, -60 V, 200 MHz, 300 mW, -600 mA, 300 hFE


Win Source:
TRANS PNP 60V 0.6A SOT23


MMBT2907ALT1G中文资料参数规格
技术参数

频率 200 MHz

额定电压DC -60.0 V

额定电流 -600 mA

额定功率 300 mW

针脚数 3

极性 PNP

耗散功率 225 mW

输入电容 30 pF

上升时间 40 ns

击穿电压集电极-发射极 60 V

集电极最大允许电流 0.6A

最小电流放大倍数hFE 100 @150mA, 10V

额定功率Max 300 mW

直流电流增益hFE 200

下降时间 30 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 3.04 mm

宽度 1.3 mm

高度 0.94 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Power Management, Industrial, Power Management, 工业, Industrial, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

香港进出口证 NLR

数据手册

MMBT2907ALT1G引脚图与封装图
MMBT2907ALT1G引脚图
MMBT2907ALT1G封装图
MMBT2907ALT1G封装焊盘图
在线购买MMBT2907ALT1G
型号: MMBT2907ALT1G
描述:ON SEMICONDUCTOR  MMBT2907ALT1G  单晶体管 双极, 通用, PNP, -60 V, 200 MHz, 225 mW, -600 mA, 200 hFE
替代型号MMBT2907ALT1G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

MMBT2907ALT1G

ON Semiconductor 安森美

当前型号

当前型号

MMBT4403LT1G

安森美

类似代替

MMBT2907ALT1G和MMBT4403LT1G的区别

MMBT2907ALT3G

安森美

类似代替

MMBT2907ALT1G和MMBT2907ALT3G的区别

MPS2907ARLRAG

安森美

类似代替

MMBT2907ALT1G和MPS2907ARLRAG的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台