ON SEMICONDUCTOR MMBT5401LT3G Bipolar BJT Single Transistor, AEC-Q101, PNP, -150 V, 300 MHz, 225 mW, -500 mA, 50 hFE 新
Design various electronic circuits with this versatile PNP GP BJT from . This bipolar junction transistor"s maximum emitter base voltage is 5 V. Its maximum power dissipation is 300 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging to allow for quick mounting and safe delivery. This bipolar junction transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. It has a maximum collector emitter voltage of 150 V and a maximum emitter base voltage of 5 V.
频率 300 MHz
额定电压DC -150 V
额定电流 -500 mA
针脚数 3
极性 PNP
耗散功率 225 mW
增益频宽积 300 MHz
击穿电压集电极-发射极 150 V
集电极最大允许电流 0.5A
最小电流放大倍数hFE 60 @10mA, 5V
额定功率Max 300 mW
直流电流增益hFE 50
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.94 mm
封装 SOT-23-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
MMBT5401LT3G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
SMMBT5401LT1G 安森美 | 完全替代 | MMBT5401LT3G和SMMBT5401LT1G的区别 |
MMBT5401LT3 安森美 | 完全替代 | MMBT5401LT3G和MMBT5401LT3的区别 |
MMBT5401LT1G 安森美 | 类似代替 | MMBT5401LT3G和MMBT5401LT1G的区别 |