MRF6P23190HR5参数规格_中文资料_数据手册PDF

MRF6P23190HR5概述

射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 HV6 2.3GHZ 40W

RF Mosfet LDMOS 28 V 1.9 A 2.39GHz 14dB 40W NI-1230

得捷:
POWER, N-CHANNEL, MOSFET

贸泽:
射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 HV6 2.3GHZ 40W

艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 68V 5-Pin NI-1230 T/R

MRF6P23190HR5中文资料参数规格

技术参数

频率 2.39 GHz

额定电压DC 28.0 V

额定电流 2.20 A

无卤素状态 Halogen Free

漏源极电压Vds 28.0 V

输出功率 40 W

增益 14 dB

测试电流 1.9 A

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

额定电压 68 V

封装参数

安装方式 Flange

封装 NI-1230-5

外形尺寸

长度 41.28 mm

宽度 10.29 mm

高度 5.08 mm

封装 NI-1230-5

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买MRF6P23190HR5

型号： MRF6P23190HR5

制造商： Freescale 飞思卡尔

描述：射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 HV6 2.3GHZ 40W