MRFE6S9160HR3参数规格_中文资料_数据手册PDF

MRFE6S9160HR3概述

MOSFET RF N-CH 35W 28V NI-780

RF Mosfet LDMOS 28V 1.2A 880MHz 21dB 35W NI-780H-2L

得捷:
RF ULTRA HIGH FREQUENCY BAND, N-

贸泽:
RF MOSFET Transistors HV6E 900MHZ 160W NI780H

MRFE6S9160HR3中文资料参数规格

技术参数

频率 880 MHz

无卤素状态 Halogen Free

漏源击穿电压 66 V

输出功率 35 W

增益 21 dB

测试电流 1.2 A

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 65 ℃

额定电压 66 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 NI-780

外形尺寸

长度 34.16 mm

宽度 9.91 mm

高度 4.32 mm

封装 NI-780

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买MRFE6S9160HR3

型号： MRFE6S9160HR3

制造商： Freescale 飞思卡尔

描述：MOSFET RF N-CH 35W 28V NI-780