TO-92 NPN 300V 0.5A
Bipolar BJT Transistor NPN 300V 500mA 50MHz 625mW Through Hole TO-92-3
得捷:
TRANS NPN 300V 0.5A TO92
艾睿:
Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 3-Pin TO-92 Ammo
安富利:
Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 3-Pin TO-92 Ammo
Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 3-Pin TO-92 Ammo
Verical:
Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 3-Pin TO-92 Ammo
频率 50 MHz
额定电压DC 300 V
额定电流 500 mA
极性 NPN
耗散功率 0.625 W
击穿电压集电极-发射极 300 V
集电极最大允许电流 0.5A
最小电流放大倍数hFE 40 @30mA, 10V
额定功率Max 625 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 625 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-226-3
封装 TO-226-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
MPSA42RLRMG ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
MPSA42ZL1G 安森美 | 完全替代 | MPSA42RLRMG和MPSA42ZL1G的区别 |
MPSA42 安森美 | 类似代替 | MPSA42RLRMG和MPSA42的区别 |
MPSA42RLRPG 安森美 | 类似代替 | MPSA42RLRMG和MPSA42RLRPG的区别 |