MMBTH10LT1

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MMBTH10LT1概述

VHF / UHF晶体管( NPN硅) VHF/UHF Transistor NPN Silicon

Trans GP BJT NPN 25V 3-Pin SOT-23 T/R


得捷:
TRANS SS VHF NPN 25V SOT23


艾睿:
Trans RF BJT NPN 25V 3-Pin SOT-23 T/R


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 25V 3-Pin SOT-23 T/R


Verical:
Trans GP BJT NPN 25V 3-Pin SOT-23 T/R


MMBTH10LT1中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 25.0 V

额定电流 4.00 mA

极性 N-Channel

耗散功率 225 mW

击穿电压集电极-发射极 25 V

最小电流放大倍数hFE 60 @4mA, 10V

额定功率Max 225 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 225 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买MMBTH10LT1
型号: MMBTH10LT1
描述:VHF / UHF晶体管( NPN硅) VHF/UHF Transistor NPN Silicon
替代型号MMBTH10LT1
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

MMBTH10LT1

ON Semiconductor 安森美

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MMBTH10

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完全替代

MMBTH10LT1和MMBTH10的区别

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