JFET开关晶体管N通道 - 耗尽 JFET Switching Transistors N−Channel − Depletion
JFET N-Channel 30V 350mW Through Hole TO-92-3
得捷:
JFET N-CH 30V TO92
贸泽:
JFET 30V 10mA
艾睿:
Trans JFET N-CH 30V 3-Pin TO-92 Ammo
Chip1Stop:
Trans JFET N-CH 30V 3-Pin TO-92 Ammo
额定电压DC 30.0 V
额定电流 50.0 mA
击穿电压 30.0 V
漏源极电阻 100 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 350 mW
输入电容 10.0 pF
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
栅源击穿电压 30 V
击穿电压 30 V
输入电容Ciss 10pF @15VVgs
额定功率Max 350 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 350 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-92-3
封装 TO-92-3
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Cut Tape CT
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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MPF4393RLRPG ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
MPF4393G 安森美 | 完全替代 | MPF4393RLRPG和MPF4393G的区别 |
MPF4393 安森美 | 类似代替 | MPF4393RLRPG和MPF4393的区别 |
MPF4393RLRP 安森美 | 类似代替 | MPF4393RLRPG和MPF4393RLRP的区别 |