












PNP 功率晶体管,ON Semiconductor### 标准带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管
PNP 功率,
### 标准
带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。
欧时:
ON Semiconductor MJD45H11-1G , PNP 晶体管, 8 A, Vce=80 V, HFE:40, 20 MHz, 3引脚 IPAK TO-251封装
得捷:
TRANS PNP 80V 8A IPAK
立创商城:
PNP 80V 8A
艾睿:
Trans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin3+Tab IPAK Tube
Allied Electronics:
ON Semi MJD45H11-1G PNP Bipolar Transistor, 8 A, 80 V, 3-Pin IPAK
安富利:
Trans GP BJT PNP 80V 8A 3-Pin3+Tab IPAK Rail
Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 80V 8A 3-Pin3+Tab IPAK Rail
Verical:
Trans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin3+Tab IPAK Tube
Newark:
# ON SEMICONDUCTOR MJD45H11-1G Bipolar BJT Single Transistor, General Purpose, PNP, 80 V, 90 MHz, 20 W, -8 A, 60 hFE
Win Source:
TRANS PNP 80V 8A IPAK
DeviceMart:
TRANS PWR PNP 8A 80V STR IPAK
频率 90 MHz
额定电压DC -80.0 V
额定电流 -8.00 A
无卤素状态 Halogen Free
针脚数 3
极性 PNP
耗散功率 20 W
击穿电压集电极-发射极 80 V
集电极最大允许电流 8A
最小电流放大倍数hFE 40 @4A, 1V
额定功率Max 1.75 W
直流电流增益hFE 60
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1750 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-251-3
长度 6.73 mm
宽度 2.38 mm
高度 6.22 mm
封装 TO-251-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
MJD45H11-1G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
MJD45H11-001 安森美 | 完全替代 | MJD45H11-1G和MJD45H11-001的区别 |
MJD45H11-001G 安森美 | 完全替代 | MJD45H11-1G和MJD45H11-001G的区别 |
KSH45H11ITU 安森美 | 类似代替 | MJD45H11-1G和KSH45H11ITU的区别 |