MJD45H11-1G

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MJD45H11-1G概述

PNP 功率晶体管,ON Semiconductor### 标准带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管

PNP 功率,

### 标准

带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。


欧时:
ON Semiconductor MJD45H11-1G , PNP 晶体管, 8 A, Vce=80 V, HFE:40, 20 MHz, 3引脚 IPAK TO-251封装


得捷:
TRANS PNP 80V 8A IPAK


立创商城:
PNP 80V 8A


艾睿:
Trans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin3+Tab IPAK Tube


Allied Electronics:
ON Semi MJD45H11-1G PNP Bipolar Transistor, 8 A, 80 V, 3-Pin IPAK


安富利:
Trans GP BJT PNP 80V 8A 3-Pin3+Tab IPAK Rail


Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 80V 8A 3-Pin3+Tab IPAK Rail


Verical:
Trans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin3+Tab IPAK Tube


Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  MJD45H11-1G  Bipolar BJT Single Transistor, General Purpose, PNP, 80 V, 90 MHz, 20 W, -8 A, 60 hFE


Win Source:
TRANS PNP 80V 8A IPAK


DeviceMart:
TRANS PWR PNP 8A 80V STR IPAK


MJD45H11-1G中文资料参数规格
技术参数

频率 90 MHz

额定电压DC -80.0 V

额定电流 -8.00 A

无卤素状态 Halogen Free

针脚数 3

极性 PNP

耗散功率 20 W

击穿电压集电极-发射极 80 V

集电极最大允许电流 8A

最小电流放大倍数hFE 40 @4A, 1V

额定功率Max 1.75 W

直流电流增益hFE 60

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1750 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-251-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 2.38 mm

高度 6.22 mm

封装 TO-251-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买MJD45H11-1G
型号: MJD45H11-1G
描述:PNP 功率晶体管,ON Semiconductor ### 标准 带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。 ### 双极性晶体管,On Semiconductor ON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别: 小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管
替代型号MJD45H11-1G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

MJD45H11-1G

ON Semiconductor 安森美

当前型号

当前型号

MJD45H11-001

安森美

完全替代

MJD45H11-1G和MJD45H11-001的区别

MJD45H11-001G

安森美

完全替代

MJD45H11-1G和MJD45H11-001G的区别

KSH45H11ITU

安森美

类似代替

MJD45H11-1G和KSH45H11ITU的区别

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